 |
 |
Love.az |  |
 |
Həsən Məmmədbağır oğlu Abdullayev (20 avqust 1918, Yaycı, AXC – 1 sentyabr 1993, Bakı) — SSRİ və Azərbaycanın görkəmli fiziki, alim, müəllim, elm təşkilatçısı, Sovet İttifaqı və dünyada yarımkeçiricilər fizikasının / mikroelektronikasının banilərindən biri,[2] Azərbaycan Dövlət mükafatı laureatı, SSRİ Elmlər Akademiyasının müxbir üzvü, Azərbaycan EA-nın həqiqi üzvü, 1970–1983-cü illərdə Azərbaycan EA-nın prezidenti.[3][4]
| Həsən Abdullayev | |
|---|---|
 | |
| 1970 – 1983 | |
| Əvvəlki | Rüstəm İsmayılov |
| Sonrakı | Eldar Salayev |
| Şəxsi məlumatlar | |
| Doğum tarixi | 20 avqust 1918 |
| Doğum yeri | |
| Vəfat tarixi | 1 sentyabr 1993 (75 yaşında) |
| Vəfat yeri | |
| Dəfn yeri | |
| Partiya | |
| Təhsili |
|
| Fəaliyyəti | fizik, nüvə fiziki |
| Uşaqları | |
| Dini | İslam |
| Elmi fəaliyyəti | |
| Elm sahəsi | yarımkeçiricilər fizikası[d], fizika |
| Elmi dərəcəsi | |
| Elmi adları | |
| Təltifləri |
       |
| science.zerbaijan.com | |
 Vikianbarda əlaqəli mediafayllar | |
Həsən Abdullayev 1952-ci ildə ilk dəfə yarımkeçirici kristallarda p-n keçidin işləmə prinsipinin fiziki mahiyyətini ətraflı izahını verib. O, yenilikçi texnologiyanın inkişafına, qlobal elmi və texnoloji tərəqqiyə əhəmiyyətli bir töhfə verən və güclü təsir göstərən fotoelementlər, günəş və termoelementlər kimi yaddaş elementləri, lazerlər, kibernetikada çip texnologiyası, alternativ enerji kimi elektronikanın tədqiqinə və inkişafı məsələləri ilə məşğul olub. Abdullayevin elmi nailiyyətləri sayəsində, yarımkeçiricilərə əsaslanan dünya texnologiyası intensiv sürətlə miniatürləşməyə başlamış, daha yüngül, mobil və rahat olub. Azərbaycan SSR-də Abdullayev elmi və texnoloji tərəqqi inqilab etmiş və bir növ milli "Silikon Vadisi"ni yaratmışdır. Alim-fizik, dünya elmində əhəmiyyətli rol oynayan yarımkeçirici fizikada, selenyum və analoqlarına əsaslanan yeni bir istiqamət qurmuş, onun əsasında mikroelektronika sahəsində ilkin, öz elmi məktəbini, bu istiqamətdə Akademiyada ilk laboratoriyaları və tədqiqat institutlarını yaratmışdır. Eyni zamanda, o, SSRİ şəraitində üzərinə böyük risk alarag tədqiqat institutları nəzdində yenilikçi layihələrin həyata keçirilməsi üçün ilk Xüsusi Konstruktur Büroları (XKB) yaratmışdır.
Həsən Abdullayev SSRİ, ABŞ, Yaponiya, Almaniya, Böyük Britaniya, Fransa, İsveç, İtaliya, Hindistan və digər ölkələrdə patentləşdirilmiş mindən çox elmi əsərin və 400-ə yaxın ixtiranın müəllifidir.[5]
Həsən Abdullayev 20 avqust 1918-ci ildə Culfa rayonunun Yaycı kəndində anadan olmuşdur. Abdullayev 1941-ci ildə Azərbaycan Dövlət Pedaqoji İnstitutunun fizika fakültəsini bitirmişdir.[6]
1941–1944-cü illərdə Ordubad Pedaqoji Məktəbində dərs demişdir.[5]
1945-ci ildən Azərbaycan EA-da işə başlamışdır. Laborantdan akademikədək, Azərbaycan EA Prezidentinə kimi yüksəlmişdir. Eyni zamanda ADU (pndiki BDU), APİ (indiki ADPU), AMİ (indiki ATU) — də dərs demişdir. 1954-cü ildə Azərbaycan Dövlət Universitetində "Yarımkeçiriciər fizikası" kafedrasını yaratmışdır. Bu kafedra bütün SSRİ-də yaradılmış ilk yarımkeçiricilər kafedralarından biri idi.
1948–1950-ci illərdə Azərbaycan EA Fizika və Riyaziyyat İnstitutunun direktor müavini, 1950-ci il yanvarından 1950-ci il avqust ayına kimi həmin institutun direktor əvəzi işləmişdir.
1950–1953-cü illərdə Leninqrad Fizika-Texnika İnstitutunda professor D. N. Nasledovun laboratoriyasında işləmişdir. 1954-cü ildə həmin institutda prof. D. Nasledovun rəhbərliyi və məşhur alman fiziki V. Rentgenin tələbəsi olmuş akademik A.F.İoffenin sədrliyi altında müdafiə şurasında "Selenid düzləndiricilərdə baş verən fiziki proseslərin tədqiqi" mövzusunda doktorluq dissertasiyasını müdafiə etmişdir.[7]
1957–1993-cü illərdə Azərbaycan EA Fizika İnstitutu direktoru vəzifəsində işləmişdir.[5]
1955-ci ildə Azərbaycan EA-nın müxbir üzvü, 1967-ci ildə həqiqi üzvü seçilmişdir. 1968–1970-ci illərdə Azərbaycan EA Fizika-Riyaziyyat və Texnika bölməsinin akademik katibi olmuşdur. 1970–1983-cü illərdə Azərbaycan EA-nın Prezidenti olmuşdur[8]. 1970-ci ildə SSRİ EA və RSFSR EA ümumi fizika və astronomiya bölməsinə "fizika" ixtisası üzrə müxbir-üzv seçilmişdir.[5]
1970-ci ildə Azərbaycan Dövlət mükafatı laureatı, 1974-cü ildə əməkdar elm xadimi fəxri adına layiq görülmüşdür.[5]
Həsən Abdullayev dəfələrlə SSRİ Ali Sovetinə deputat seçilmiş, orden və medallarla təltif olunmuşdur.[5]
O, doğma Azərbaycan dili və rus dillərindən əlavə türk, alman və ingilis dillərini bilirdi.)[9]
Ailəli olub, üç övladı və altı nəvəsi var.[10]
Akademik H. Abdullayev ömrünün əlli ilindən çoxunu yarımkeçiricilər fizikasına və biofizikaya həsr etmişdir. İlk dəfə olaraq selenli cihazlarda selenin anomal hallarını aşkara çıxarmaqla onların idarə olunması yollarını göstərmişdir. Uzunmüddətli elektrik yaddaşlı cihazların hazırlanması və lazer üçün mürəkkəb kimyəvi tərkibli yarımkeçirici monokristalların alınması üçün bir sıra kompleks təcrübələr aparmışdır. H. Abdullayev tərəfindən yeni mürəkkəb yarımkeçiricilərin alınması üçün aparılan təcrübələr, elektrik yaddaşlı idarə olunan diodların yaradılmasına gətirib çıxarmışdır.[5]
Selenin, tellurun, onların mürəkkəb birləşmələrinin və bunlar əsasında hazırlanan yarımkeçirici cihazların fizikası, selenin bioloji proseslərdə rolunun tədqiqi sahəsində əsaslı elmi nəticələri vardır. Onun rəhbərliyi ilə mürəkkəb yarımkeçiricilərdən bir sıra yeni cihazlar, o cümlədən yeni fiziki prinsiplə işləyən uzunmüddətli elektrik yaddaşlı cihazlar yaradılmışdır.[5]
Abdullayev 1952-ci ildə ilk dəfə yarımkeçirici kristallarda p-n keçidin işləmə prinsipinin fiziki mahiyyətini ətraflı izahını vermişdi. Alim ömrünü yenilikçi texnologiyanın inkişafına, qlobal elmi və texnoloji tərəqqiyə əhəmiyyətli bir töhfə verən və güclü təsir göstərən fotoelementlər, günəş və termoelementlər kimi yaddaş elementləri, lazerlər, kibernetikada çip texnologiyası, alternativ enerji kimi elektronikanın tədqiqinə və inkişafına həsr edib.[5]
Həsən Abdullayev in optik kvant generatorlarının yaradılması üçün kompleks kimyəvi tərkibli yeni yarımkeçirici monokristalların əldə edilməsi ilə bağlı işləri Sovet elminin 1964–1965-ci illərin ən mühüm nəticələri sırasına daxil olunmuşdu. O, 1952-ci ildə nəşr olunmuş Azərbaycan dilində yarımkeçiricilər fizikası ilə bağlı ilk fundamental əsərin müəllifidir. Azərbaycan dilində fizika üzrə ilk terminoloji lüğətin müəlliflərindən və baş redaktoru, Azərbaycanda "Xəbərlər" və "Elm və Həyat" akademik jurnallarının redaktoru kimi çalışıb. H. Abdullayevin Azərbaycan Elmlər Akademiyasında elektrokimya, biokimya, biofizika76, molekulyar biologiya, molekulyar genetika77,78 və digərləri kimi əlaqəli fundamental elm sahələrinin formalaşmasında və inkişafında böyük xidmətləri var.[5]
O, termoelektrik çeviriciləri üçün yeni yarımkeçiricilərin alınmasını işləyib hazırlamışdır. Termoelektrik çevriciləri üçün aldığı yarımkeçirici materiala Amerika Birləşmiş Ştatları və Fransanın patentləri verilmişdir. Yüksəkixtisaslı elmi kadrlar hazırlanmasında böyük xidməti var. O, Azərbaycanda yarımkeçiricilər fizikası üzrə elmi məktəb yaratmışdır. Keçmiş SSRİ Elmlər Akademiyası "Yarımkeçiricilər fizikası və kimyası" elmi şurasının üzvü, respublika "Fizika problemləri" elmi şurasının və "Bilik" cəmiyyətinin sədri olmuşdur.[5]
Həsən Abdullayevin elmi-təşkilati fəaliyyətini də qeyd etmək olar. Alim, indiyədək xeyli sayda fizika elmləri namizədi və fizika elmləri doktoru yetişdirmişdir. O, onlarla dissertasiyaya opponentlik etmişdir. Onun məşhur tələbələri arasında M. Kərimov, Y. Seyidov, E. Salayev, M. Şahtaxtinski, G. L. Belinki, K. Allahverdiyev, R. Süleymanov, H. Paşayev, A. Paşayev, B. Tağıyev, N. A. Quliyev, A. Z. Quliyev, R. Nani, S. Karimov (Tacikistan), Ş. Mavlonov, A. S. Babayev, V. B. Antonov, X. Məmmədov, M. Y. Bakirov, J. Abakarov (Özbəkistan), Y. V. Qorin, V. A. Sadıqov, F. M. Həşimzadə, S. Mehdiyeva, M. Əliyev, B. A. Əsgərov, Z. A. Əliyarova, S. Mehdiyeva, K. Ş. Qəhrəmanov, A. Ş. Feldman vardır.
Beynəlxalq elmi müşavirələrdə iştirak və çıxış etmişdir. Amerika Birləşmiş Ştatlarında (1970), Türkiyədə (1974) yarımkeçiricilər fizikasına dair mühazirələr oxumuşdur. Yarımkeçirici maddə və cihazların tədqiqi və tətbiqinə dair bir sıra əsərlərin müəllifidir. "Elektron yarımkeçiricilərin və onların tətbiqi" (1952) kitabı yarımkeçiricilər fizikası sahəsində Azərbaycan dilində nəşr olunan ilk əsərdir.[5]
O, 17 monoqrafiyanın, 1000-dən çox elmi məqalənin, 700 yaxın SSRİ şəhadətnaməli ixtiranın, 40 ədəd ABŞ, Fransa, Almaniya, İngiltərə, Türkiyədə, Rusiyada və d. xarici patentin müəllifi, 200-dən çox doktorluq və namizədlik dissertasiyasının rəhbəri olmuşdur.[5]
H. B. Abdullayev p-n keçidlərinin yaradılması və tədqiqində görkəmli nəticələr əldə edib. 1945-ci ildə ilk dəfə anodda dinamik potensial sıçrayışını və yüksək temperaturlarda katotda statik sıçrayış kəşf edib. Hərtərəfli tədqiqatlar nəticəsində düzləndicilərdə lokal təbəqənin fiziki təbiəti və əmələ gəlmə proseslərini aydınlaşdırıb. Yerinə yetirdiyi elmi işlər yarımkeçiricilərin düzləndirmə dinamik nəzəriyyəsinin əsasını təşkil edib və yarımkeçiricilərin xassələrinin bir sıra fiziki xüsusiyyətlərinin anlaşılmasına səbəb olub:[5] – selen elementlərinə əsaslanan ilk süni p-n keçidini yaratmışdır;
– düzlənmiş cərəyanın orta dəyərinin tezlikdən asılılığı üçün fiziki mexanizm hazırlamışdır;
– diodun quruluşundakı super güclü sahələrdə keçiricilik üçün empirik düstur əldə etmişdir:
Bu işlər yarımkeçiricilərin düzləndirmə nəzəriyyəsinin əsasını təşkil etmişdir. H. Abdullayevin adı yarımkeçiricilər fizikasının – A3 B6 birləşmələrinin və onların daha mürəkkəb analoqlarının əsas anlayışları ilə əlaqələndirilir.[5]
Abdullayev tələbələri ilə[5] – eksperimental nəticələrə əsasən çoxqatlı klapan fotoelementlərin faydalı iş əmsalını təyin etməyə imkan verən hesablama düsturu əldə etmişdir:
1959-cu ildə yaratmışlarından: – Təbii galenid əsaslı termoelektrik generator; – parametrləri artırılmış selen fotoelementləri.
Abdullayevin selenyuma dair əsərləri dünyada görkəmli sayılır. 1961-ci ildə selen, tellur, onların mürəkkəb birləşmələrinin kristallarının əldə edilməsi, fiziki xüsusiyyətlərinin hərtərəfli öyrənilməsi və yeni yarımkeçirici çevricilərin yaradılması ilə bağlı əsas işləri ilə geniş tanınmışdır. 1963-cü ilə qədər görülmüş termoelektrik işlərin döngüsü istilik çevrici üçün təsirli olan yeni mürəkkəb yarımkeçiricilərin yaranmasına səbəb olub.[5] Həsən Abdullayevin rəhbərliyi altında: – radioaktiv izotoplar metodu ilə selendə diffuziyanın kəmiyyət xüsusiyyətləri və diffuz atomun vəziyyəti müəyyən edilmişdir; – ilk dəfə elektronoqrafik metodu ilə göstərilmişdir ki, düzləndiricilərdə və fotoelementlərdə düzləndirmə mexanizmi onlarda heterokeçidlərin əmələ gəlməsi ilə səciələnib; – selen diod konstruksiyalarının istehsalı üçün mövcud texnologiyaların təkmilləşdirilməsi və yeni yüksək səmərəli texnologiyaların yaradılması üçün elmi əsaslar hazırlanmışdır; – mənfi müqavimətli p-n keçidi əldə edilmişdir.[5]
Abdullayev işçiləri ilə: – selen və tellurun ikiqat və üçlü birləşmələrinin yeni qruplarını aşkar etmişlər; – spektrin görünən və infraqırmızı bölgələri üçün effektiv qəbulediciləri kimi A3 B6 qrupu analoqlarının çox sayda yeni daha mürəkkəb yarımkeçiriciləri proqnozlaşdırılmış və əldə edilmişdir (1962-ci il); – A3B6 qrupunun elementlərinin mükəmməl monokristallarının alınması üçün texnologiya hazırlanmışdır (TlSe əldə edilmişdir – 1959-cu il); – A3 B6 qrupu birləşmələrinə əsaslanan rentgen və neytron radiasiyasının detektorları müəyyən edilmişdir (1960-cı il); – GaS təbəqəli selen diodlar əldə edilmişdir (1961-ci il); – ilk dəfə GaSe-nin böyük monokristalları əldə edilmiş (1961-ci il), tək tutulmanın mövcudluğu aşkar edilmiş və GaSe-də daha dərin yapışma səviyyələrinin olması təyyin edilmişdir (1961-ci il); – xüsusi təmizlikdə material Se 99,99999% əldə edilmişdir (1963-cü il); – əldə edilmiş xüsusi təmizlikdə Selenin 99, 99999% monokristalları (ərimədən xlor və brom qarışığı ilə və 7x4x2 mm3 ölçüdə buxar fazasından yetişdirilmişdir, (1968-ci il); – A3 B6 qrup birləşmələrin, onların bərk məhlulları və mürəkkəb analoqlarının elektron xüsusiyyətlərindəki dəyişikliklərin ümumi xarakteri təyyin edilmişdir; – yarımkeçirici tensometriyanın imkanlarını əhəmiyyətli dərəcədə genişləndirməyə imkan verən piezofotoresistiv effekt aşkar edilmişdir (1971-ci il).[5]
A3 B6 qrupunun yarımkeçiricilərinin optik xüsusiyyətləri və enerji quruluşunun öyrənilməsinə dair fundamental işlərin döngüsü yarımkeçirici elektronikanın imkanlarını xeyli genişləndirmişdir:[5] – müəyyən olunmuşdur ki, galyum selenid kristallarının bir çox parametrdə infraqırmızı İQ-bölgəsində mövcud olan digər qeyri-xətti kristalları əhəmiyyətli dərəcədə üstələdiyi və kvant elektronikası, qeyri-xətti optik və tənzimlənən şualanma tezliyinə malik generatorların yaradılması üçün perspektivlidir; – lazer şüalanmasının tezlik modulyasiyasından istifadə edərək optik rabitə sistemi gəlişdirilmişdir. Rabitə sisteminin qəbuledici qurğusunda GaSe kristal əsaslı "Dekoder" tezlik-modulyasiya siqnallarının amplitüd-modulyasiyalı siqnallara çevrilməsi rolunu oynamışdı (1974-cü il).
Birinci və üçüncü qrupların (A1 B3) xalkogenidlərinin fiziki xüsusiyyətləri və onların diod quruluşlarındakı proseslərin tədqiqinə əsaslanaraq:[5] – müəyyən edilmişdir ki, birinci qrup xalkogenidlərinin yarımkeçirici kristallarında qütbdən asılı və qütbdən asılı olmayan keçid və yaddaş idarə olunan effektləri mis və gümüşün yüksəkyürüklü ionlarının injeksiyasına əsaslanır; – idarə olunan elektrik (elektron) yaddaşlı diodlar hazırlanmışdır (1966-cı il);
A3 B6 qrupun birləşmələrinin monokristalları əsasında: – yüksək müqavimət vəziyyətinin metal keçiriciliyinə sahib olduğu ideal bistable cihaz yaradılmışdır; – elektrik sahəsi ilə idarə olunan, keçidlə və "üçlü" yaddaş ilə cihazlar yaradılmışdır (1962-ci il); – nöqtəvi diodlar istehsal edilmişdir (1962-ci il); – prinsipcə yeni yarımkeçirici idarə olunan diodlar (üçüncü elektrod olmadan) yaradılmışdır (1968-ci il); – Cu2 S əsasında hazırlanmış nazik təbəqəli film açarları gəliştirilmiş və araşdırılmışdır(1972-ci il); – Uinv kəmiyətinin kiçik dəyişən siqnalın tezliyindən asılılığını müəyyən edən empirik düstur alınmışdır (1972-ci il).[5]
Birinci qrup xalkogenidlərinin (A1 B3) tədqiqatı nəticəsində: – müəyyən edilmişdir ki, birinci qrup xalkogenidlərin bu yarımkeçirici kristalları defektli kristal quruluşa sahib olduğundan öz-özünə aşqarlanma effektinə səbəb olur. Bu tədqiqatlar əsasında: – yarımkeçirici mis tellurid (Cu2 Te) və gallium selen (GaSe) əsasında elektron informasiyanın daimi saxlama, yenidən yazılması üçün 256-bit olan informasiya saxlama cihazı və uzunmüddətli elektron yaddaşlı (sabit disk-ROM) keçid gelişdirilmiş, hazırlanmışdır (1974-cü il).[5]
P-n keçidlərində elektron generasiya-rekombinasiya proseslərinin hərtərəfli tədqiqatı əsasında:[5] – p-n keçidlərində elektron generasiya-rekombinasiya proseslərinin əsas parametrlərinin müəyyənləşdirilməsi üçün metod təklif edilmişdir; – p-n keçidlərində volt-farad xüsusiyyətlərinin avtomatlaşdırılmış yazılması və reaktivliyin təbiətinin induktivə çevrilmə fenomeninin avtomatik qeyd edilməsi üçün cihaz gəliştirilmış və yaradılmışdır; – mikroelektronika və lazer texnologiyası üçün perspektivli olan əvvəlcədən bilinməyən çoxsaylı üçlü və dördlü anizotrop yarımkeçirici birləşmələrin mövcudluğu proqnozlaşdırıb və ilk dəfə əldə edilmişdir; – lazerlər və yaddaş elementləri üçün mürəkkəb kimyəvi tərkibli yarımkeçirici monokristalların alınması üçün hərtərəfli geniş çeşiddə işlər aparılmışdır. – işıq yaddaşı fenomenləri və CdIn2 S4 monokristallarında keçid effekti aşkar edilmişdir, işıq istifadə edərək CdIn2 S4 monokristallarında keçid effektinə nəzarət etmək imkanı göstərilmişdir; – ilk dəfə olaraq mürəkkəb yarımkeçiricilər əsasında keçid həddi elastik deformasiya ilə modulyasiya edilən və spektrin TlInSe, CdGaInS4 görünən bölgəsini işıqlandırılması ilə elektron yaddaşlı keçid cihazları əldə edilmişdir (1975-ci il); – Si-SiO2 -Cu2 Te (Se, S) yaddaş elementləri əsasında tutumu 4 kbit olan mikrosxem gəlişdirilib hazırlanmışdır (1978-ci il); – metal – oksid – yarımkeçirici konstruksiyalarda aşqarların elektrik ötürülməsi yolu ilə yarımkeçiricilərin lokal aşqarlaması ilə ekspress metod hazırlanmışdır, bunların əsasında inteqral sxemlərin (termostabil yaddaş açarı, proqramlaşdırıla bilən yaddaş elementi və diod matrisi) aktiv elementləri yaradılmışdır (1979-cu il); – kompleks istifadəyə əsaslanan həssas elektroqrafik qatlar yaratmaq üçün texnologiya hazırlanmışdır; – 1992-ci ildə təsbit edilmişdir ki optik şəffaflandırıcı təbəqələrini silikon günəş hüceyrələrinə yerləşdirildikdə bu elementlərin səmərəliliyi (f.i.ə.)19 və 27%-ə qədər artır, iki qatlı optik şəffaflandırıcı təbəqələrini isə tətbiq edildikdə, səmərəlilik (f.i.ə.) 33%-ə qədər artır. Elektron və qamma şüaları ilə şüalanmış cihazlar kosmosda işləmək üçün dizayn edilmişdir.[5]
H. Abdullayev bir sıra xüsusi yarımkeçirici cihazların hazırlanması və tətbiqi və ölkədə istehsalı üçün müasir elmi-təcrübə və sənaye təməlinin yaradılması ilə bağlı çox iş görmüşdür.[5]
H. B. Abdullayevin birbaşa iştirakı ilə inkişaf etdirilən elm sahəsi bioloji fizikadır.[5] Onun təşəbbüsü ilə, "Beyin Biofizikası"nın ilk laboratoriyaları, Bölmə, Sektor və Mikrobiologiya İnstitutu Azərbaycan Elmlər Akademiyası Fizika İnstitutunun təməlində yaradılmış, biofizika və molekulyar biologiya geniş sahədə yayılmışdır.
Abdullayev Molekulyar biologiya və biofizika sahəsində orijinal bir tədqiqat istiqamətini yaradıb, radioizotop və digər metodlarla araşdırıldığı zamanı selenin bioloji obyektlərdə paylanması, fermentativ proseslərdəki və xüsusilə önemli olan görmə analizatorunun işıq həssaslığının artırılmasında rolu tədqiq edilmiş bir sıra mühüm məlumatlarını gəliştirimiş və əldə edilmişdir.[5] Bu işlər gözün necə işlədiyini anlamaq üçün vacibdir: – şua enerjinin elektrik enerjisinə çevrilmə mexanizmində iştirak edən selenin təsiri altında retinanın işıqla əlaqəli elektrik potensialının gücləndirilməsinin əvvəllər bilinməyən bir fenomeni təyin edilmişdir; – ilk dəfə deoksiribonuklein turşusu (DNT) matrisi üzərində ribosomal ribonüklein turşusunun sintezini kataliz edən fermentin birinci formasının fəaliyyətinin selen tərəfindən seçici inhibe edilməsi faktı aşkar edilmişdir.
Abdullayev və onun bir qrup tələbəsi, yeni mürəkkəb yarımkeçiricilərin əldə edilməsi, istehsalı, bunlara əsaslanan müxtəlif cihazların yaradılması, habelə biofizika sahəsində – gözün görmə prosesində selenin rolununun müəyyənləşdirilməsi kimi bir sıra işlərinə görə 1972-ci ildə Azərbaycan Dövlət Mükafatına layiq görülmüşlər.[5]
Ümummilli lider Heydər Əliyevin respublikaya rəhbərliyi dövründə H. Abdullayev Azərbaycan elminin yüksəlişi və dünya arenasına çıxmasına yönəlmiş tələblərinə son dərəcə həssaslıqla yanaşmış, yüksək təşkilatçılıq və təşəbbüskarlıq göstərmişdir.
Həsən Abdullayevin gördüyü işlər nəticəsində keçmiş SSRİ-də selen tədqiq etmək üçün yüksək təmizlikdə selen və yeni yüksək effektiv selen çeviricilərinin və bunlara əsaslanan onlarla cihazın kütləvi istehsalı üçün böyük bir ixtisaslaşmış sənaye yaradılmışdır. Azərbaycanda respublika sənayesi üçün prinsipial olaraq yeni məhsul növləri – yarımkeçirici cihazların hazırlanması başlandı. Keyfiyyət kateqoriyasına görə bu cihazlar və qurğular dünya standartları səviyyəsində olduğlarına görə Sovetlər Dövləti tərəfindən "SSRİ keyfiyyət nişanı"na layiq görülmüşlər.
Onun ilk dəfə bir sıra anomal hadisələrin izahı verildiyi və onlara nəzarət üsullarının göstərildiyi selen və selen cihazları fizikasıyla əlaqədar apardığı işlər dünyada çox məşhur oldu. Bu əsərlər SSRİ Elmlər Akademiyasının jurnallarında, beynəlxalq "Physical Review", "Chemical Physics", "Selenium and Tellurium Abstracts", "Japanese Journal of Applied Physics" fizika jurnallarında, A. İ. Qubanov, B. İ. Boltaks, D. M. Çijikov və V. P. Şastlivinin, İngilis-Amerikalı alim J. Ray Drabble, İngilis-Avstraliyalı alim H. Julian Goldsmid və başqalarının monoqrafiyalarında yüksək qiymətləndirilmişdir. Həsən Abdullayevin selenə dair işləri Nobel mükafatçıları N. Semenov (1956), A. Proxorov (1964), J. Alferov (2001), məşhur Amerika alimləri Kenneth Teegarden, Lütfi Zadə, Beynəlxalq Selenyum və Tellurium Fizikasının İnkişafı Dərnəyinin prezidenti – V. Charles Cooper, akademiklər N. Bogolyubov, D. Blokhintsev, E. Velikhov, R. Sagdeev və başqa alimlər tərəfindən görkəmli işlər olaraq qiymətləndirilib.[5]
Həsən Abdullayevin təşəbbüsü və rəhbərliyi altında, Azərbaycanda akademik tədqiqat institutları nəzdində SSRİ-də birincilərindən biri – yarı kapitalist özünü dəstəkləyən elmi və texniki istehsal müəssisələri (texnoparkları) Xüsusi Konstruktor Büroları (XKB) və digər eksperimental elmi və texniki zavodlar yaradılmışdır. Tədqiqat işlərini aparmaqla yanaşı, Həsən Abdullayev digər bölgələrdə də elm- tədqiqat mərkəzləri yaratdı: Naxçıvanda (indiki Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyasının NaxçıvanBölməsi), Şəkidə (indiki Şəki Regional Elmi Mərkəzi), Gəncədə (indiki Azərbaycan Milli Elmlər Akademiyasının Gəncə Bölməsi), Lənkəranda bioloji laboratoriya (indiki AMEA Lənkəran Regional Elmi Mərkəzi).[5]
Akademik H. Abdullayev 1993-cü il sentyabrın 1-də Bakıda vəfat etmiş, Fəxri Xiyabanda dəfn edilmişdir.[11]
 |
 |
LOVE.AZ |  |
 |
|
.svg){kind=small}
