Nadir Abdullayev Fizik - Wikipedia - Love.az

Abdullayev Nadir Allahverdi oğlu 1 noyabr 1955-ci ildə Bakıda anadan olub. 1979-cu ildə Moskva Dövlət Universitetinin fizika fakültəsini bitirib. 1979–1981-ci illərdə hərbi qulluğunu çəkib. 1981-ci ildə AMEA Fizika İnstitutuna kiçik elmi işçi kimi qəbul olunub. 1985-ci ildə "Laylı kristalların istilikdən genişlənməsinin xüsusiyyətləri" mövzusunda namizədlik dissertasiyasını müdafiə edib. 2010-cu ildə "Güclüanizotrop kristallarda fonon proseslərinin və yükdaşıyıcıların lokallaşma effektlərinin xüsusiyyətləri" mövzusunda doktorluq dissertasiyasını müdafiə edib^[2]. 2015 ildə laboratoriya rəhbəri vəzifəsinə seçilib. 2020-ci ildə Azərbaycan Respublikasının Prezidenti İlham Əliyevin sərəncamı ilə 2020-ci il üçün elm sahəsində Azərbaycan Respublikasının Dövlət Mükafatına layiq görülmüşdür.^[1]

• Elmi əsərlərinin sayı-302
• Xaricdə dərc olunan əsərlərinin sayı-75-dən çox
• Beynəlxalq bazalarda indeksləşən jurnallarda (Web of Science, Scopus və s.) dərc olunan əsərlərinin sayı -75
• Kadr hazırlığı-3
• Elmi-pedaqoji fəaliyyəti-4

N.A. Abdullayev elmi fəaliyyətini əsasən fizikanını üç istiqaməti üzrə aparır.

Birincisi – fononlar fizikasıdır. Bura optik və akustik fononların dispersiyası, raman səpilməsi, fononların anharmonizmi, Grünayzen parametrləri, elastiki sabitlər və onlarla bağlı fonon prosessləri – istlik tutumu, istidən genişlənmə və istilik keçiriciliyi daxildir. Klassik laylı kristal – qrafitdə lay müstəvisində mənfi istilikdən genişlənmənin və istilik keçiriiliyində "istilik anomaliyasının" "membran" effekti əsasında izahı verilmişdir. GaS, GaSe, InSe, TlGaSe2 və b. laylı kristalarda lay müstəvisində mənfi istilikdən genişlənmə aşkar olunub və izahı verilib. TlGaSe2 və TlInS2 kristallarının istilikdən genişlənməsinə xarici şüalanmanın və tətbiq olunan elektrik sahənin təsirindən istilik xassələrində elektron altsisteminin mühüm rolu müəyyən edilmişdir.

İkincisi – bərk cisimlərin optik xassələri. Bura yarımkeçiricilərin qadağan olunmuş zonasının temperaturdan assılığı, deformasiya potensialları, dielektrik funksiysıanın həqiqi və xəyali hissələrinin fotonların energisindən asılılığı, sındırma və udulma əmsallarının dispersiyası, və s. optik parametrlərin təyini daxildir. Bu istiqamətdə aşağıdaki optik usullar istifadə olunub: udulma və əksolunma spektrləri, fotolüminessensiya spektrləri, spektral ellipsometriya.

Üçüncüsü – elektrik və maqnittransport xassələri. Bura elektrik keçiriciliyinin geniş temperatur intervalında (0.3-300 K) və yüksək maqnit sahələrində (16 Tesla qədər) öyrənilməsi, yükdaşıyıciların yürüklüyünün və konsentrasiyasının təyin edilməsi, yarımkeçiricilən aktivləşmə energiyası, aşqar keçiriciliyi, sıcrayışlı keçiriciliyi, lokalizasiya effektləri (Mott keçiriciliyi), zəyif lokalizasiya və antilokalizasiya effektləri və s. daxildir. Bu istiqamətdə müxtəlif xarici maqnit sahəsində elektrik keçiriciliyinin temperatur assılığı, maqnit müqaviməti, normal və anomal Xoll effekti öyrənilib. MnBi2Te4 monokristallarında ilk dəfə materiyanin yeni kvant halı – antiferromaqnit topologi izolyator aşkar olunub. Müəyyən olunub ki, (MnBi2Te4)(Bi2Te3)n (n=0,1,2…) birləşmələrində n artdıqca antiferromaqnit topologi izolyator - ferromaqnit topologi izolyator keçidi baş verir.

• G.L.Belenki, E.Yu.Salaev, R.A.Suleimanov and N.A.Abdullaev. The nature of temperature dependence of energy gaps in layer semiconductors. Solid State Commun., 47, 263 (1983).^[3]
• Г.Л. Беленький, Р.А. Сулейманов, Н.А. Абдуллаев, В.Я. Штейншрайбер. Тепловое расширение слоистых кристаллов. Модель Лифшица. Физика твёрдого тела, 26, 3560 (1984).^[4]
• Г.Л. Беленький, Н.А. Абдуллаев, В.Н. Зверев, В.Я. Штейншрайбер. Природа анизотропии проводимости и особенности локализации электронов в слоистом селениде индия. Письма в ЖЭТФ, 47, 498 (1988).^[5]
• Н.А. Абдуллаев. Параметры Грюнайзена в слоистых кристаллах. Физика твёрдого тела, 43, 697 (2001).^[6]
• Н.А. Абдуллаев. Особенности упругих свойств слоистых кристаллов. Физика твёрдого тела, 48, 623 (2006).^[7]